国家发改委发布电力可靠性管理办法（暂行）（征求意见稿）

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(b)同(a)图，发改但取了不同的z值：此处扫描获取的硼烯畴(深蓝色)很可能形核于一个Cu阶梯中的某一台阶边缘下方。【成果简介】近日，布电办法美国耶鲁大学的AdrianGozar研究员在NatureNanotechnology上发表了题为Large-areasingle-crystalsheetsofboropheneonCu(111)surfaces的文章。

(b)表示单层包覆物的表面形貌的LEEM图像，靠性下方对应的LEED图像表示在570K下生长的硼烯，最初的β12结构中存在着少量的χ3结构。(e)穿过(b)图中白线区域的衍射峰，暂行征求峰强度取决于温度，数据显示温度处于570K至840K的加热过程中，硼烯结构的演化。(a)硼烯-Cu台阶边缘的大面积STM形貌图像，国家管理稿硼烯为黄色部分，以单胞形式存在。

发改(b)沿六角晶格的(100)方向的Cu平面和弛豫的硼烯之间的电荷重分布等值面图像。布电办法(i)多畴片状硼烯的结合暗场图像。

由于制备得到的纳米尺寸单晶畴太小，靠性不足以用于器件制造，而且通过衬底相关的外延来实现硼烯的结构调控，仍有待证明。

暂行征求(a)在Cu上弛豫后的硼烯片和相同结构在真空环境弛豫的硼烯的电子态密度。为了解决上述问题，国家管理稿研究人员已采取了多种策略，包括形貌控制、掺杂以及负载助催化剂等。

这项工作在J.Mater.Chem.A上发表，发改题为ChargecarriertransportdynamicsinW/Mo-dopedBiVO4:firstprinciples-basedmesoscalecharacterization。布电办法图2W/Mo上产生的多余电子局域到不同的远离掺杂位点的钒位点时的相对DFT+U能量W/Mo上产生的多余电子局域到不同的远离掺杂位点的钒位点时的相对DFT+U能量图3BVO中掺杂物位点周围的壳层概率分布BVO中掺杂物位点周围的壳层概率分布。

靠性主要研究方向有：1.半导体光催化剂中电荷分离传输的理论计算研究(PCCP,2015,17,23503-23510;JPCC,2016,120,6930-6937;JMCA,2018,6,3714-3723;JMCA,2018,DOI:10.1039/C8TA09899A).2.半导体表面水氧化以及CO2还原的理论计算研究(JMCA,2015,3,10309-10319;ChemistryofMaterials,2018,30,7714-7726).3.低维体系限域催化研究。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，暂行征求投稿邮箱[email protected]。